[发明专利]半导体装置的制作方法

摘要

本发明公开一种半导体装置的制作方法，其包括下列步骤，在半导体基底的第一区与第二区上分别形成多个第一栅极结构与多个第二栅极结构。第二栅极结构之间的间距大于第一栅极结构之间的间距。进行第一离子注入制作工艺，用以于第一栅极结构之间形成第一掺杂区。进行第二离子注入制作工艺，用以于第二栅极结构之间形成第二掺杂区。第二离子注入制作工艺的倾斜角度大于第一离子注入制作工艺的倾斜角度。第二离子注入制作工艺的注入剂量低于第一离子注入制作工艺的注入剂量。进行蚀刻制作工艺，用以移除至少部分的第一掺杂区而形成第一凹陷，且用以移除至少部分的第二掺杂区而形成第二凹陷。

主权项

1.一种半导体装置的制作方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底上定义有一第一区与一第二区；在该半导体基底的该第一区上形成多个第一栅极结构；在该半导体基底的该第二区上形成多个第二栅极结构，其中该多个第二栅极结构之间的间距大于该多个第一栅极结构之间的间距；进行一第一离子注入制作工艺，用以于该多个第一栅极结构之间的该半导体基底中形成一第一掺杂区；进行一第二离子注入制作工艺，用以于该多个第二栅极结构之间的该半导体基底中形成一第二掺杂区，其中该第二离子注入制作工艺的倾斜角度大于该第一离子注入制作工艺的倾斜角度，且该第二离子注入制作工艺的注入剂量低于该第一离子注入制作工艺的注入剂量；以及进行一蚀刻制作工艺，用以移除至少部分的该第一掺杂区而于该半导体基底中形成一第一凹陷，且用以移除至少部分的该第二掺杂区而于该半导体基底中形成一第二凹陷。