[发明专利]铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法在审
| 申请号： | 201710953193.6 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107561817A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 丁婷婷;郑远林;陈险峰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所31201 | 代理人： | 王毓理,王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法，通过首先在铌酸锂单晶薄膜样品表面甩胶后模压得到纳米梳状结构，然后在纳米梳状结构上镀制金属膜层作为顶电极，再通过铌酸锂单晶薄膜样品中的导电电极层和顶电极进行极化处理，最后通过去除甩胶和导电电极层，得到周期性极化铌酸锂薄膜。本发明制备流程方便易操作，通过本发明可以在几百纳米厚的铌酸锂单晶薄膜上获得大面积的纳米级周期性极化畴反转结构。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂 薄膜 纳米 周期性 极化 方法 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法，其特征在于，首先在铌酸锂单晶薄膜样品表面甩胶后模压得到纳米梳状结构，然后在纳米梳状结构上镀制金属膜层作为顶电极，再通过铌酸锂单晶薄膜样品中的导电电极层和顶电极进行极化处理，最后通过去除甩胶和导电电极层，得到周期性极化铌酸锂薄膜；所述的铌酸锂单晶薄膜样品包括铌酸锂衬底以及依次设置于其上的二氧化硅层、导电电极层和铌酸锂单晶薄膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710953193.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
