[发明专利]一种准分子激光退火设备有效
| 申请号： | 201710953870.4 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107706092B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 张宇;吕祖彬;谢银 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01S3/036 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种准分子激光退火设备，涉及显示技术领域，解决了激光输出通道中气体气氛不均匀导致的形成的多晶硅层的质量不均匀的问题。该准分子激光退火设备包括条状的激光输出通道；所述条状的激光输出通道包括两个端面和与所述两个端面均相接的侧面；所述准分子激光退火设备还包括设置在所述侧面的至少一个进气管路，以及设置在所述端面的进气管路；其中，所述进气管路用于向所述激光输出通道输入气体。用于提高激光输出通道中气体气氛的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准分子激光 退火 设备 | ||
【主权项】：
一种准分子激光退火设备，其特征在于，包括条状的激光输出通道；所述条状的激光输出通道包括两个端面和与所述两个端面均相接的侧面；所述准分子激光退火设备还包括设置在所述侧面的至少一个进气管路，以及设置在所述端面的进气管路；其中，所述进气管路用于向所述激光输出通道输入气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
