[发明专利]一种纳米银焊膏连接裸铜DBC的功率模块制作方法有效
| 申请号： | 201710954334.6 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107871675B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 梅云辉;刘文;闫海东;李欣;陆国权 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种纳米银焊膏连接裸铜DBC的功率模块制作方法，包括清洗工艺、焊膏印刷工艺、贴片工艺和烧结工艺；清洗工艺采用超声波振荡实现对裸铜DBC的清洗，焊膏印刷工艺采用钢网印刷实现纳米银焊膏的印刷，纳米银印刷两次；贴片工艺采用贴片机贴片；烧结工艺采用真空回流炉烧结，得到甲酸无氧气氛，并控制烧结温度和升温速率。既能实现纳米银焊膏和裸铜DBC的致密化连接，又能防止裸铜DBC氧化。本发明无需特制设备，处理工序方便易行，工艺简单，适用于通过纳米银焊膏实现功率芯片与裸铜衬底或敷铜基板间的连接，保证了后续引线键合的可靠性，提高了功率模块的可靠性，极大的促进了纳米银焊膏在功率半导体模块封装中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 银焊膏 连接 dbc 功率 模块 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米银焊膏连接裸铜DBC的功率模块制作方法；包括清洗工艺、焊膏印刷工艺、贴片工艺和烧结工艺；其特征是清洗工艺采用超声波振荡实现对裸铜DBC的清洗，焊膏印刷工艺采用钢网印刷实现纳米银焊膏的印刷，纳米银印刷两次；贴片工艺采用贴片机贴片；烧结工艺采用真空回流炉烧结，得到甲酸无氧气氛，并控制烧结温度和升温速率；所述烧结工艺，抽真空至5mbar并通甲酸至1000mbar，烧结温度250℃，升温速率1‑20℃/min，烧结时间30min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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