[发明专利]一种高储能效率铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201710955078.2 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107705985B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 曾一;林元华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G4/18 | 分类号： | H01G4/18;H01G4/20 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高储能效率铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途。本发明的铁电聚合物基电介质薄膜含有偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物P(VDF‑co‑HFP)和六方氮化硼h‑BN，其中，以体积百分比计，两者的配比为(100‑x)％P(VDF‑co‑HFP)–x％h‑BN，0 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高储能 效率 聚合物 电介质 薄膜 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种铁电聚合物基电介质薄膜，其特征在于，所述薄膜具有至少一个第一电介质层和与所述第一电介质层交替层叠的第二电介质层，所述第一电介质层含有偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物P(VDF‑co‑HFP)和六方氮化硼h‑BN，其中，以体积百分比计，两者的配比为(100‑x)％P(VDF‑co‑HFP)–x％h‑BN，1≤x≤7，所述第二电介质层含有偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物P(VDF‑co‑HFP)。
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