[发明专利]一种带锁存功能的比较器

摘要

本发明提供了一种带锁存功能的比较器，属于半导体集成电路技术领域。包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第五NMOS晶体管N5；该带锁存功能的比较器和传统的比较器电路相比，在不增加器件的基础上，引入了由第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2构成的锁存回路。与现有的比较器电路相比，本发明的比较器输出稳定，不容易受电源电压、环境温度等外部干扰，大大提升了比较器的稳定性。此外，本发明具有增益大，功耗低的优点，适用于要求低功耗的场合。

主权项

一种带锁存功能的比较器，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第五NMOS晶体管N5；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接第二输出端VOUT2，漏极接第一输出端VOUT1；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，栅极接第一输出端VOUT1，漏极接第二输出端VOUT2；第一NMOS晶体管N1的栅极接第二输出端VOUT2，漏极接第一输出端VOUT1，源极接第三NMOS晶体管N3的漏极；第二NMOS晶体管N2的栅极接第一输出端VOUT1，漏极接第二输出端VOUT2，源极接第四NMOS晶体管N4的漏极；第三NMOS晶体管N3的栅极接第一输入端VIN1，源极接第四NMOS晶体管N4的源极和第五NMOS晶体管N5的漏极；第四NMOS晶体管N4的栅极接第二输入端VIN2；第五NMOS晶体管N5的栅极接偏置电流输入端BIAS，源极接地。