[发明专利]一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺

摘要

本发明公开了一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺，包括以下步骤晶硅表面双面制绒，慢提拉生长隧道氧化层‑单面硼深扩散‑另外一面磷扩散‑去除两边的硼磷硅玻璃‑正面镀氮化硅膜‑正面印刷负电极‑背面镀透明导电薄膜‑背面印刷正电极，该制作工艺简单易行，制作出的太阳电池结构简单紧凑，增加光的重复使用，提高发电效率。

主权项

一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺，其特征在于， 该P 型双面晶硅太阳电池的制作工艺具体包括以下步骤：（1）P型硅衬底双面制绒和氧化选择电阻率为0.4‑1Ω/cm 的P 型硅片，并用1.0‑1.5% 的氢氧化钾溶液在80℃下对P型单晶硅表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的陷光结构绒面，随后再用稀释的15% 的盐酸和氢氟酸进行清洗，除去表面杂质，再用60℃的温水进行浸泡慢提脱水氧化；（2）在P型硅衬底的前表面先进行单面硼扩散，形成P+层在硼源体系扩散炉中在1000‑1200℃的温度下，采用三溴化硼对P型硅衬底的前表面进行硼扩散形成P+层，再对P 型硅衬底的另外一面背表面进行常规的800‑850℃三氯氧磷磷扩散形成PN结，使其方阻范围是60‑100Ω/□；（3）磷硅玻璃和背面PN 结、侧面PN 结的去除在单面刻蚀的设备中，采用氢氟酸和硝酸的混合溶液，刻蚀P型硅片的背表面和边缘，去掉背面和侧面多余的PN，再用HF酸去除表面和背面的磷硅玻璃，结束后对其双面进行臭氧氧化形成氧化硅层；（4）沉减反射膜：在P型硅衬底上的PN 结一侧采用等离子化学气相沉积氮化硅膜，氮化硅膜作为减反射膜，膜的厚度为80nm；（5）制备电池的负极采用印刷技术在经步骤（4）处理后得到的氮化硅膜表面印刷含银浆料的电池负极，并在850‑900℃下烧结刺穿电池正面达到N型衬底；（6）制备背面透明导电薄膜用PVD对电池背面进行背面溅射镀透明导电薄膜；（7）制备电池的正极：采用印刷技术在经步骤（6）处理后得到的透明导电薄膜表面印刷含银浆料的电池正极，并在温度250‑400℃下刺进透明导电薄膜层。