[发明专利]鳍式半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710957388.8 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109671778B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王楠;王媛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式半导体器件及其形成方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成多个鳍部掩膜侧墙，所述多个鳍部掩膜侧墙依次编号，其中，编号为奇数的奇数掩膜侧墙具有第一宽度，编号为偶数的偶数掩膜侧墙具有第二宽度，所述第一宽度与第二宽度不同；以所述鳍部掩膜侧墙为掩膜，在所述半导体衬底的表面刻蚀形成凸出的鳍部，所述鳍部包括对应于所述奇数掩膜侧墙的奇数鳍部以及对应于所述偶数掩膜侧墙的偶数鳍部。本发明方案可以使奇数鳍部的宽度与偶数鳍部的宽度不同，从而满足不同功能器件的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成多个鳍部掩膜侧墙，所述多个鳍部掩膜侧墙依次编号，其中，编号为奇数的奇数掩膜侧墙具有第一宽度，编号为偶数的偶数掩膜侧墙具有第二宽度，所述第一宽度与第二宽度不同；以所述鳍部掩膜侧墙为掩膜，在所述半导体衬底的表面刻蚀形成凸出的鳍部，所述鳍部包括对应于所述奇数掩膜侧墙的奇数鳍部以及对应于所述偶数掩膜侧墙的偶数鳍部。
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