[发明专利]一种半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710957389.2 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN107742629A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 王连红;夏绍曾;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张振军,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂层和堆叠于所述第一掺杂层的第二掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述第二掺杂层；对所述沟槽底部的第二掺杂层进行离子注入，以使其掺杂类型与所述第一掺杂层的掺杂类型相同；其中，相邻沟槽之间的第一掺杂层和第二掺杂层形成光电二极管。通过本发明的方案能够有效延长隔离深度，同时提高光电二极管的长度，从而在提高满井容量的同时有效避免电子串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂层和堆叠于所述第一掺杂层的第二掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述第二掺杂层；对所述沟槽底部的第二掺杂层进行离子注入，以使其掺杂类型与所述第一掺杂层的掺杂类型相同；其中，相邻沟槽之间的第一掺杂层和第二掺杂层形成光电二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710957389.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
