[发明专利]一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺

摘要

本发明涉及一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，去除硅片表面损伤层并进行双面抛光，运用金属辅助湿法刻蚀法进行双面黑硅制绒，再进行去金属盐清洗。然后，采用具备浓度梯度的两步碱溶液对绒面进行扩孔修饰；高温炉中POCl₃双面沉积扩散、背面抛光同时去除磷硅玻璃及扩散层；然后硅片背面用ALD沉积AlO_x、并运用PECVD设备在AlO_x薄膜和前表面扩散层分别沉积的SiN_x薄膜；运用激光技术在背钝化层开槽开孔、丝网印刷烧结背铝浆、背电极及正电极的步骤。本发明的电池通过特殊制绒技术，可以有效提高单多晶的陷光结构，同时保证相对低的表面复合速度，结合双面电池的双面发电优势和弱光响应特性，可以大幅提升电池光电转换效率。

主权项

1.一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，其特征在于，该工艺采用以下步骤：(1)将硅片在NaOH/NaClO混合碱溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕，同时完成双面抛光；(2)将抛光后的硅片放入金属盐溶液中坠饰金属颗粒，(3)将上述硅片在HF/H₂O₂氧化性溶液中进行纳米结构绒面制备；(4)对硅片进行金属颗粒去除处理；(5)将具有纳米绒面的硅片放入氢氧化钾溶液改善纳米绒面结构；(6)将硅片放入低浓度氢氧化钾溶液中进行绒面修正；(7)将上述硅片在高温炉中POCl₃单面沉积扩散；(8)采用一步法湿法刻蚀去除磷硅玻璃并抛光硅片背面；(9)在板式ALD设备将硅片正面沉积Al₂O₃层；(10)采用PECVD设备在上述硅片抛光面和步骤(9)中的正面沉积SiN_x薄膜；(11)在硅片背面形成的背钝化层上开槽开孔；(12)丝网印刷烧结背铝栅线电极、背银电极及正银电极即可。