[发明专利]半导体封装结构在审

专利信息
申请号: 201710963806.4 申请日: 2017-10-17
公开(公告)号: CN108987356A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 张容华;蔡柏豪;林俊成 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;王芝艳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 提供半导体封装结构,半导体封装结构包含芯片结构,半导体封装结构包含第一导电结构位于芯片结构上方,第一导电结构电性连接至芯片结构,第一导电结构包含第一过渡层位于芯片结构上方以及第一导电层位于第一过渡层上,第一导电层大致由双晶铜制成。
搜索关键词: 半导体封装结构 芯片结构 导电结构 第一导电层 过渡层 电性连接 双晶
【主权项】:
1.一种半导体封装结构,包括:一芯片结构;以及一第一导电结构,位于该芯片结构上方,其中该第一导电结构电性连接至该芯片结构并包括:一第一过渡层,位于该芯片结构上方;及一第一导电层,位于该第一过渡层上,该第一导电层大致由双晶铜制成。
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