[发明专利]导体和包括导体的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710965516.3 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN108122984B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;陈志良;赖志明;杨超源;杨惠婷;高克斌;刘如淦;陈顺利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种用于半导体器件的导体及其制造方法，该方法包括：在基底上形成结构；以及从结构中消除第一组的构件的所选择的部分和第二组的构件的所选择的部分。该结构包括：平行于第一方向布置的覆盖的第一导体；以及平行于覆盖的第一导体布置并且与覆盖的第一导体交织的覆盖的第二导体。覆盖的第一导体组织成至少第一组和第二组。第一组的每个构件均具有第一蚀刻灵敏度的第一盖。第二组的每个构件均具有第二蚀刻灵敏度的第二盖。每个覆盖的第二导体均具有第三蚀刻灵敏度。第一蚀刻灵敏度、第二蚀刻灵敏度和第三蚀刻灵敏度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 包括 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造用于半导体器件的导体的方法，所述方法包括：在基底上形成结构，所述结构包括：覆盖的第一导体，平行于第一方向布置；和覆盖的第二导体，平行于所述覆盖的第一导体布置并且与所述覆盖的第一导体交织；其中，所述覆盖的第一导体被组织成至少第一组和第二组；所述第一组的每个构件均具有第一蚀刻灵敏度的第一盖；所述第二组的每个构件均具有第二蚀刻灵敏度的第二盖；每个所述第二导体均具有第三蚀刻灵敏度的第三盖；并且所述第一蚀刻灵敏度、所述第二蚀刻灵敏度和所述第三蚀刻灵敏度彼此不同；以及从所述结构中消除所述第一组的构件的所选择的部分和所述第二组的构件的所选择的部分。
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