[发明专利]DRAM的帮浦系统及其操作方法有效
| 申请号： | 201710966439.3 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109031983B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 许庭硕 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/04 | 分类号： | G05B19/04 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露是关于一种DRAM(dynamic random access memory)的帮浦系统及其操作方法。该帮浦系统包含一帮浦元件与一备用帮浦组件。该帮浦元件响应一正常指令且在没有其他备用帮浦元件的情况下，提供足以使得该DRAM的一储存库(bank)以一正常刷新率操作的电流，其中该正常指令代表该储存库被指示以该正常刷新率操作。该备用帮浦组件包含一第一备用帮浦元件，经配置以响应一第一指令且结合该帮浦元件，提供足以使得该储存库以一第一刷新率操作的电流，该第一刷新率大于该正常刷新率，其中该第一指令代表该储存库被指示以该第一刷新率操作。 | ||
| 搜索关键词： | dram 系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM的帮浦系统，包括：一帮浦元件，经配置以响应一正常指令且于没有其他备用帮浦元件的情况下，提供足以使得该DRAM的一储存库以一正常刷新率操作的电流，其中该正常指令代表该储存库被指示以该正常刷新率操作；以及一备用帮浦组件，包含一第一备用帮浦元件，该第一备用帮浦元件经配置以响应一第一指令且结合该帮浦元件，提供足以使得该储存库以一第一刷新率操作的电流，该第一刷新率大于该正常刷新率，该第一指令代表该储存库被指示以该第一刷新率操作，其中该备用帮浦组件仅在藉由一金属选择(metal option)重新设计该DRAM的一电路结构时才结合该帮浦元件提供电流。
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