[发明专利]一种衬底露头抛光方法及其应用有效
| 申请号： | 201710967283.0 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107680906B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张世崇;李婷 | 申请（专利权）人： | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李丙林 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种衬底露头抛光方法及其应用。本发明衬底露头抛光方法工艺简单，通过涂覆两层不同性质的材料，工艺的可操作空间更大，外层阻挡层更易于在后续抛光工艺中被除去，能够有效减少后续抛光所需时间，充分提高生产效率，降低生产成本，适用于具有TSV结构的衬底的露头抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 露头 抛光 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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