[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710967310.4 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107768529A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 张育楠 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂,闻盼盼 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种钙钛矿发光二极管及其制作方法。本发明的钙钛矿发光二极管的制作方法通过在钙钛矿材料中掺杂合适的聚合物材料来制备钙钛矿发光层，一方面能够提升钙钛矿材料的成膜性，减少钙钛矿发光层中针孔的产生，进而提升钙钛矿发光二极管的发光表现；另一方面能够有效调节钙钛矿发光层喷墨打印墨水的物理性质，使其满足喷墨打印的制程需求，提升钙钛矿发光层的喷墨打印效果。本发明的钙钛矿发光二极管采用上述方法制备得到，其钙钛矿发光层具有较好的成膜效果，基本无针孔产生，因此钙钛矿发光二极管具有较好的发光表现。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供背板(80)，所述背板(80)包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的像素界定层(20)、设于所述像素界定层(20)上的数个开口(21)、以及设于所述衬底基板(10)上且分别位于数个开口(21)内的数个阳极(30)；分别在所述数个开口(21)内的数个阳极(30)上形成数个空穴传输层(40)；分别在所述数个开口(21)内的数个空穴传输层(40)上形成数个钙钛矿发光层(50)，所述钙钛矿发光层(50)包括钙钛矿材料及掺杂在钙钛矿材料中的聚合物材料；分别在所述数个开口(21)内的数个钙钛矿发光层(50)上形成数个电子传输层(60)；分别在所述数个开口(21)内的数个电子传输层(60)上形成数个阴极(70)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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