[发明专利]形成低K间隔件的方法有效
| 申请号： | 201710968550.6 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN108878291B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 康秀瑜;陈竑暐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成低k间隔件。例如，本发明包括形成低k间隔件的示例性方法。该方法包括沉积低k间隔件，并且接着用等离子体和/或热退火处理低k间隔件。可以在从衬底突出的结构上沉积低k间隔件。对低k间隔件实施的等离子体和/或热退火处理可以降低间隔件的蚀刻速率，从而使得间隔件在后续的蚀刻或清洁工艺中被较少地蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 间隔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成间隔件的方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠件，其中，所述栅极堆叠件包括上表面和侧壁表面；在所述栅极堆叠件的上表面和侧壁表面上形成第一间隔件；在所述第一间隔件上方形成第二间隔件；在第一温度下利用等离子体处理所述第二间隔件第一时间段；在第二温度下利用气体处理所述第二间隔件第二时间段；以及去除形成在所述栅极堆叠件的上表面上方的所述第一间隔件的部分和所述第二间隔件的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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