[发明专利]石墨悬浮式冷坩埚制取高纯氧化铝多晶体的工艺方法有效
| 申请号： | 201710970654.0 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107502951B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张清勇;唐皇哉;胡树金 | 申请（专利权）人： | 睿为电子材料(天津)有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/20 |
| 代理公司： | 12101 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人： | 谢宇强 |
| 地址： | 300382 天津市西青区学*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨悬浮式冷坩埚制取高纯氧化铝多晶体的工艺方法，采用首先向冷坩埚内装填高纯氧化铝原料粉体后压实，使压实后的原料粉体高度处于高频感应线圈上沿和下沿高度之间；然后再将纯度大于99.99％的高纯石墨片放在铺好的底料上，再在石墨片上均匀盖一层1cm高不压实的原料粉体；启动坩埚水冷系统，开启感应线圈电源，进行感应加热；石墨片被快速升温加热到3000℃以上，快速熔化附近的原料粉体，最终全部熔化形成氧化铝熔池，使得石墨片漂浮在熔池上面并接触空气；冷坩埚开始下降，继续向冷坩埚中加入原料粉，使石墨片始终漂浮在熔池最上面和空气接触不断被氧化成二氧化碳气体，直至最终消失，最后完成高纯氧化铝多晶体的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 悬浮 坩埚 制取 高纯 氧化铝 多晶体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨悬浮式冷坩埚制取高纯氧化铝多晶体的工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：/n1)向冷坩埚内装填高纯氧化铝原料粉体，将加入的原料粉体压实作为底料，使压实后的原料粉体高度处于高频感应线圈上沿高度和下沿高度之间；/n2)将纯度大于99.99％的高纯石墨片放在上述铺好的底料上，再在高纯石墨片上均匀盖一层1cm高的高纯氧化铝原料粉体，该层原料粉体不压实；高纯石墨片的尺寸为直径12cm，厚度0.5cm，在整个生产的前半个周期石墨片能完全氧化完毕；/n3)启动冷坩埚的水冷系统，开启高频感应线圈的电源，高频感应线圈对高纯石墨片进行感应加热；/n4)高纯石墨片快速升温被加热到3000℃以上，快速熔化高纯石墨片附近的原料粉体逐渐形成一个小熔池，最终全部熔化形成氧化铝熔池，使得高纯石墨片漂浮在熔池上面并接触空气；/n5)启动冷坩埚下降系统，同时按0.9-1.1kg/min的加料速度继续向冷坩埚中加入原料粉体，使高纯石墨片始终漂浮在熔池最上面和空气接触，不断被氧化成二氧化碳气体，直至最终消失，最后直至高频感应线圈的下沿脱离冷坩埚内的熔池液面，且冷坩埚内的原料粉体全部熔融，切断电源停止加热，冷却至室温得到高纯氧化铝多晶体。/n
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