[发明专利]在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品在审
| 申请号： | 201710971352.5 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109675775A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨平;王俊;林捷 | 申请（专利权）人： | 上海稷以科技有限公司 |
| 主分类号： | B05D3/14 | 分类号： | B05D3/14;D06M10/08 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 200241 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在物体表面形成保护层的方法，包括将物体的至少一部分表面暴露于第一等离子体中，以在物体的至少一部分表面形成第一保护层；和将形成有第一保护层的物体的至少一部分表面暴露于第二等离子体中，以形成第二保护层。本发明还提供一种表面形成有保护层的产品，该保护层包括第一保护层和第二保护层。第一保护层通过暴露于第一等离子体中形成于所述产品的至少一部分表面。第二保护层通过将形成有第一保护层的产品的至少一部分表面暴露于第二等离子体中形成于所述第一保护层的外表面。 | ||
| 搜索关键词： | 第一保护层 保护层 等离子体 第二保护层 表面暴露 表面形成 物体表面 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种在物体表面形成保护层的方法，其特征在于，包括：将所述物体的至少一部分表面暴露于第一等离子体中，以在所述物体的至少一部分表面形成第一保护层；和将形成有所述第一保护层的所述物体的至少一部分表面暴露于第二等离子体中，以形成第二保护层；形成所述第二等离子体的第二气体不同于形成所述第一等离子体的第一气体，所述第二气体包含由化学式(II)表示的化合物，![]()
其中，R1、R2、R3分别独立地选自氢、卤素、烷基、芳基、卤代烷基、卤代烯烃或卤代芳基；x为0至3中的任意一个整数；l为2至14中的任意整数；m为0至3中的任意整数；并且n＝2l+1‑m。
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