[发明专利]一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，该方法包括以下步骤：清洗单晶硅片；以甲烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积一层氢化氮化碳薄膜；以氢气稀释的硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化碳薄膜表面沉积一层氢化氮化硅薄膜；以氢气稀释的硅烷、高纯甲烷和高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化硅薄膜表面制备一层含氢的碳氮化硅薄膜。该方法通过修饰单晶硅表面化学键、调整三层膜中各元素原子浓度比及各层膜厚度，从而提高薄膜钝化效果和减反射特性。

主权项

1.一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（1）清洗单晶硅片；（2）以纯度为99.999%的高纯甲烷和纯度为99.9995%的高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积一层氢化氮化碳薄膜；（3）以氢气稀释体积比为10%的硅烷和以纯度为99.9995%高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（2）中所制备的氢化氮化碳薄膜表面沉积一层氢化氮化硅薄膜；（4）以氢气稀释体积比为10%的硅烷、纯度为99.999%的高纯甲烷和纯度为99.9995%的高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（3）中的氢化氮化硅薄膜表面制备一层含氢的碳氮化硅薄膜，其中氢气、硅烷的体积比为氢气90%，硅烷10%。