[发明专利]一种花瓶状接触孔的制备方法有效
| 申请号： | 201710972644.0 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107731745B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 宋保英;谢岩;邹浩;丁振宇 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种花瓶状接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一复合薄膜，复合薄膜包括一金属层以及覆盖于金属层上的待刻蚀层，待刻蚀层包括依次层叠的第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层以及第二氧化层；步骤S2，采用氧化物对氮化物为高刻蚀比的刻蚀体刻蚀待刻蚀层，形成延伸至金属层的上表面的至少一个花瓶状通孔；步骤S3，对花瓶状通孔进行自校准；步骤S4，采用一第一物理气相沉积工艺于花瓶状通孔的侧壁覆盖一第一保护层；步骤S5，采用一第二物理气相沉积工艺于花瓶状通孔的底部覆盖一第二保护层；步骤S6，填充花瓶状通孔形成花瓶状接触孔；与底部的金属层的接触性能好，导电性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 花瓶 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种花瓶状接触孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一复合薄膜，所述复合薄膜包括一金属层以及覆盖于所述金属层上的待刻蚀层，所述待刻蚀层包括依次层叠的第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层以及第二氧化层；步骤S2，采用氧化物对氮化物为高刻蚀比的刻蚀体刻蚀所述待刻蚀层，形成延伸至所述金属层的上表面的至少一个花瓶状通孔；步骤S3，对所述花瓶状通孔进行自校准；步骤S4，采用一第一物理气相沉积工艺于所述花瓶状通孔的侧壁覆盖一第一保护层；步骤S5，采用一第二物理气相沉积工艺于所述花瓶状通孔的底部覆盖一第二保护层；步骤S6，填充所述花瓶状通孔形成花瓶状接触孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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