[发明专利]一种高通量氘‑氚中子发生器中子产额的测量方法在审
| 申请号： | 201710976112.4 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107884808A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 兰长林;鲍杰;刘通;占许文;潘小东;史万峰;吴王锁 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高通量氘‑氚中子发生器中子产额的测量方法，准备双裂变电离室，电离室内放置2片238U靶片；将裂变电离室放置在强流D‑T中子源的中子场中，开机辐照，中子场中快中子与238U靶片发生反应，裂变碎片使工作气体电离；收集电离过程中形成的脉冲信号，将信号传给外部的脉冲输出记录谱仪；计算得到中子产额。本发明的有益效果是可用于1013n/s以上强流氘‑氚(D‑T)中子发生器的中子产额测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通量 中子 发生器 测量方法 | ||
【主权项】：
一种高通量氘‑氚中子发生器中子产额的测量方法，其特征在于按照以下步骤进行：步骤1：准备双裂变电离室，电离室内放置2片238U靶片；步骤2：将裂变电离室放置在强流D‑T中子源的中子场中，开机辐照，中子场中快中子与238U靶片发生反应，裂变碎片使工作气体电离；步骤3：收集电离过程中形成的脉冲信号，将信号传给外部的脉冲输出记录谱仪；步骤4：计算得到中子产额。
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