[发明专利]一种多孔硅制备方法

摘要

本发明公开了一种多孔硅的制备方法，该方法包括如下步骤(a)依次用氢氟酸、硫酸、乙醇、超纯水对多晶硅粉进行离心清洗；(b)将多晶硅粉放入硝酸银、冰块和氢氟酸的混合溶液中搅拌反应；(c)离心清洗；(d)放入氢氟酸、双氧水、乙醇的混合溶液中冰浴搅拌腐蚀；(e)滴加硼酸和硝酸继续冰浴搅拌腐蚀；(f)用超纯水对D品进行离心清洗，得多孔硅。本发明的制备方法简单、成本较低，所制备的多孔硅具有颗粒孔径较大、多孔分布均匀、孔径大小均匀的优点，并且多孔硅无金属粒子吸附，可提高多孔硅的使用效果。

主权项

一种多孔硅制备方法，其特征在于，包括如下步骤 ：(a)量取3‑5份的多晶硅粉，依次用氢氟酸、硫酸、乙醇、超纯水离心清洗； (b)取0.01mol/L‑O.O5mol/L硝酸银、20‑50份碎冰块、4mol/L‑6mol/L氢氟酸和水混合制成50~300份的混合溶液A，将多晶硅粉放入混合溶液A中搅拌反应2‑5分钟，得A品； (c)对A品进行离心清洗，得B品； (d)取3‑6mol/L氢氟酸、0.5%‑3%双氧水、8‑15份乙醇和水混合制成50~300份混合溶液B，将B品放入混合溶液B中冰浴搅拌腐蚀0.5h‑1.5h，得C品； (e)向C品中滴加0.3mol/L‑1.2mol/L硼酸和0.5%‑1.5%硝酸继续冰浴搅拌腐蚀0.5h‑1.5h，得D品； (f)用超纯水对D品进行离心清洗,得多孔硅。