[发明专利]高能量太赫兹脉冲产生装置在审
| 申请号： | 201710978741.0 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107505797A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 吴晓君;戴军;方兆吉 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35;G02B27/09 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 王莹,吴欢燕 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高能量太赫兹脉冲产生装置，包括光栅、半波片、光束整形单元、成像单元和铌酸锂晶体；利用泵浦飞秒激光照射所述光束整形单元，将所述泵浦飞秒激光的光束截面形状由圆形变为椭圆形；整形后的泵浦飞秒激光通过所述光栅衍射至所述半波片上，经过所述半波片改变所述整形后的泵浦飞秒激光的偏振方向后，再通过所述成像单元后入射至所述铌酸锂晶体上。太赫兹脉冲产生装置中的光束整形单元，可以使照射在铌酸锂晶体上的光斑为椭圆形，使高能量、大光斑的飞秒激光光斑尽量靠近铌酸锂晶体的62度角或63度角的切割边沿，最大限度的减少远离铌酸锂晶体切割边沿的位置产生的太赫兹脉冲在铌酸锂晶体内的传输损失。 | ||
| 搜索关键词： | 高能量 赫兹 脉冲 产生 装置 | ||
【主权项】：
一种太赫兹脉冲产生装置，其特征在于，包括：光栅、半波片、光束整形单元、成像单元和铌酸锂晶体；利用泵浦飞秒激光照射所述光束整形单元，将所述泵浦飞秒激光的光束截面形状由圆形变为椭圆形；整形后的泵浦飞秒激光通过所述光栅衍射至所述半波片上，经过所述半波片改变所述整形后的泵浦飞秒激光的偏振方向后，再通过所述成像单元后入射至所述铌酸锂晶体上。
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