[发明专利]一种硒化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201710978966.6 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107887469A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 施维林;张强;马锡英 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法。它以二维硒化钼薄膜和硅片为光敏单元，吸收可见光及近红外光，硒化钼/硅异质结为太阳能电池光生电子和空穴的核心收集单元。由于二维MoSe2具有1.55 eV的直接带隙，能有效吸收400～800 nm的可见光，具有较高的光电转换效率，能显著提高太阳能电池的内量子效率。同时，MoSe2与Si材料形成异质结，可充分吸收可见光与近红外太阳光，且异质结对光生电子、空穴有很强的收集作用，从而提高了太阳能电池的光伏效应和转换效率。本发明提供的MoSe2/Si异质结太阳能电池在350 mW白光照射下，光能转换效率达到2.26%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化钼 硅异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硒化钼/硅异质结太阳能电池，其特征在于：以二维硒化钼薄膜和硅片为光敏单元，吸收可见光及近红外光，硒化钼/硅异质结为太阳能电池光生电子和空穴的核心收集单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
