[发明专利]偏置电路及其构成的射频功率放大器在审
| 申请号： | 201710979182.5 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107733380A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张长伟;赵奂 | 申请（专利权）人： | 湖南格兰德芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24;H03F1/30;H03F1/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 412000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于射频功率放大器的偏置电路，包括串联的偏置电路一和偏置电路二；偏置电路一的第一端连接放大器件的基极，其第二端连接偏置电路二的第一端，偏置电路二的第二端接地；本发明还公开了一种具有上述偏置电路的射频功率放大器，包括功率源一端接地另一端通过串联的输入匹配网络和电容C3连接放大器件的基极，放大器件的发射极接地，放大器件的集电极通过扼流圈连接电路电源并通过输出匹配网络连接天线端。本发明用于射频功率放大器，能同时提高射频功率放大器的线性度和射频功率放大器的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 电路 及其 构成 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种用于射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括：串联的偏置电路一和偏置电路二；偏置电路一的第一端连接放大器件的基极，其第二端连接偏置电路二的第一端，偏置电路二的第二端接地；其中，偏置电路一在直流条件下呈现较高阻抗，偏置电路一在交流条件下呈现较低阻抗；所述较高阻抗是指阻抗大于等于200欧姆，所述较低阻抗是指阻抗小于等于20欧姆。
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