[发明专利]鳍型场效晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710979640.5 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN108122985B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 官琬纯;庄孟哲;邱意为;翁子展 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种制造一半导体元件的方法，包括形成一长条半导体突出于一基板之上，形成隔离区域于此长条半导体的相对侧，使用一第一蚀刻制程于一第一反应室中将此隔离区域凹陷，以及，使用一第二蚀刻制程于此第一反应室中将此隔离区域的平坦度改善。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍型场效 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造一半导体元件的方法，包括：形成一长条半导体突出于一基板之上；形成隔离区域于所述长条半导体的相对侧；使用一第一蚀刻制程于一第一反应室中将所述隔离区域凹陷；以及使用一第二蚀刻制程于所述第一反应室中将所述隔离区域的平坦度改善。
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