[发明专利]基于三维纵向可写存储阵列的可编程门阵列在审
| 申请号： | 201710980779.1 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109698690A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 基于三维纵向可写存储阵列的可编程门阵列，本发明提出一种可编程门阵列，它含有多个可编程计算单元、多个可编程逻辑单元和多个可编程连接。每个可编程计算单元含有至少一三维纵向可写存储器并存储一基本函数的至少部分查找表（LUT），该三维纵向可写存储阵列堆叠在该可编程逻辑单元上并与之电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程门阵列 存储阵列 三维 可写 可编程逻辑单元 计算单元 可编程 可编程连接 可写存储器 基本函数 查找表 电耦合 堆叠 存储 | ||
【主权项】：
1.一种可编程门阵列(400)，其特征在于含有：一半导体衬底(0);多个包括一可编程逻辑单元(200)的可编程逻辑单元 (200AA‑200AD)，该可编程逻辑单元位于该半导体衬底(0)上并从一逻辑运算库中选择性地实现一种逻辑运算；多个包括一可编程计算单元(100)的可编程计算单元 (100AA‑100AD)，该可编程计算单元(100)含有一三维纵向可写存储阵列(110)并存储一基本函数的至少部分查找表（LUT），该可写存储阵列(110)堆叠在该可编程逻辑单元(200)上并与之电耦合；多个将该可编程计算单元(100AA‑100AD)和该可编程逻辑单元(200AA‑200AD)选择性耦合的可编程连接(300)；通过对该可编程计算单元(100AA‑100AD)、该可编程逻辑单元(200AA‑200AD)和该可编程连接(300)进行编程以实现一复杂函数，该复杂函数是所述基本函数的一种组合。
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