[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201710984901.2 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108122792A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡嘉庆;邱意为;许立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/52 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法，包含：在一第一介电层，形成一第一导体构件。在上述第一介电层的上方，形成一蚀刻停止层。在上述蚀刻停止层的上方，形成一第二介电层。将上述第二介电层与上述蚀刻停止层图形化，以形成一开口，其中上述蚀刻停止层的一部分介于上述开口的底部与上述第一导体构件之间。溅射上述蚀刻停止层的上述部分，以将上述开口延伸至上述第一导体构件并形成一延伸开口，其中上述延伸开口曝露上述第一导体构件。以一导体材料填充上述延伸开口，以在上述第二介电层形成一第二导体构件。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻停止层 导体构件 介电层 开口 半导体装置 延伸 导体材料 图形化 溅射 曝露 填充 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的形成方法，包含：在一第一介电层，形成一第一导体构件；在该第一介电层的上方，形成一蚀刻停止层；在该蚀刻停止层的上方，形成一第二介电层；将该第二介电层与该蚀刻停止层图形化，以形成一开口，其中该蚀刻停止层的一部分介于该开口的底部与该第一导体构件之间；溅射该蚀刻停止层的该部分，以将该开口延伸至该第一导体构件并形成一延伸开口，其中该延伸开口曝露该第一导体构件；以及以一导体材料填充该延伸开口，以在该第二介电层形成一第二导体构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
