[发明专利]一种单层二硫化钼和二氧化钛纳米异质结的制备方法

摘要

一种单层MoS2/TiO2纳米异质结的制备方法，将Si/SiO2基底先超声清洗，然后吹干；将装有三氧化钼的石墨舟放置在化学气相沉积装置的高温区加热，Si/SiO2基底放置在石墨舟上，抽真空；在封闭的石英管中通入保护气体后排空，加热管式炉，升温至700‑800℃，保温5‑20分钟，关闭加热，冷却至室温，获得片状单层MoS2；将钛酸四丁酯溶于无水乙醇中，再加入乙酰丙酮，在室温下搅拌得二氧化钛溶胶；将片状单层MoS2依次浸入二氧化钛溶胶、无水乙醇和去离子水中，然后用无水乙醇冲洗，除去表面粘附的水，然后置于500～550℃的马弗炉中退火1～2h，即得到单层MoS2/TiO2纳米异质结结构。

主权项

一种单层二硫化钼和二氧化钛纳米异质结的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）将Si/SiO2基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗20~50分钟，并吹干基底表面；将装有三氧化钼的石墨舟放置在化学气相沉积装置的高温区加热，将Si/SiO2基底放置在装有三氧化钼的石墨舟上方，用真空泵将化学气相沉积装置的真空度调节在5mTorr以下；在化学气相沉积装置封闭的石英管中通入保护气体5‑10分钟进行排空，加热管式炉，升温至700‑800℃，保温5‑20分钟，关闭加热，冷却至室温，即可获得片状单层MoS2；2）将钛酸四丁酯溶于无水乙醇中，再加入乙酰丙酮，钛酸四丁酯、无水乙醇和乙酰丙酮的物料比为20mmol：30~50mL：20mmol，将混合液密封，在室温下磁力搅拌得二氧化钛溶胶；3）将片状单层MoS2从化学气相沉积装置中取出后依次浸入二氧化钛溶胶、无水乙醇和去离子水中各40～50 秒，然后用无水乙醇冲洗片状单层MoS2，除去表面粘附的水，以上过程定义为一个吸附循环反应，进行至少两次吸附循环反应后，将片状单层MoS2吹干，然后置于500～550℃的马弗炉中退火1～2h，即可得到单层MoS2/TiO2纳米异质结结构。