[发明专利]三维存储元件及其制造方法

摘要

本发明公开一种三维存储元件及其制造方法。三维存储元件包括多条底部控制栅极线、多条底部源极线、设置于多条底部源极线的堆叠结构体、多条设置于堆叠结构体上的位线以及多个贯穿堆叠结构体的柱状结构。多条底部源极线设置于多条底部控制栅极线且和多条底部控制栅极线彼此交错。堆叠结构体包括多层相互绝缘且位于不同阶层的堆叠层，每一堆叠层包括多条字线。每一柱状结构连接于相对应的位线与相对应的底部源极线之间，且每一字线和相对应的柱状结构形成一记忆胞。每一柱状结构包括外圈铁电层、核心栅导电柱及位于外圈铁电层与核心栅导电柱之间的环绕通道层，且核心栅导电柱电性连接于相对应的底部控制栅极线。据此，记忆胞的读写顺序可任意选择。

主权项

1.一种三维存储元件，其特征在于，所述三维存储元件包括：多条底部控制栅极线，其沿着一第一水平方向延伸且相互并列设置；多条底部源极线，设置于多条所述底部控制栅极线，其中，多条所述底部源极线沿着一第二水平方向延伸且和多条所述底部控制栅极线彼此交错；一堆叠结构体，其设置于多条所述底部源极线，其中，所述堆叠结构体包括多层相互绝缘且位于不同阶层的堆叠层，每一所述堆叠层包括多条沿着所述第二水平方向延伸的字线，且每一所述字线对应至少一所述底部源极线；多条位线，其设置于所述堆叠结构体上，并沿着所述第一水平方向延伸，其中，多条所述位线与多条所述底部源极线彼此交错；以及多个柱状结构，其贯穿所述堆叠结构体，其中，每一所述柱状结构连接于相对应的所述位线与相对应的所述底部源极线之间，且每一所述字线和相对应的所述柱状结构形成一记忆胞；其中，每一所述柱状结构包括一外圈铁电层、一核心栅导电柱以及一位于所述外圈铁电层与所述核心栅导电柱之间的环绕通道层，且所述核心栅导电柱电性连接于相对应的所述底部控制栅极线。