[发明专利]硼钨钴杂多配合物与结晶紫杂化薄膜的光电转换性质有效

专利信息
申请号: 201710990040.9 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN109698074B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 高丽华;王潇申;王克志 申请(专利权)人: 北京工商大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100048*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 具有光电转换性能的杂多配合物与有机染料杂化的有序薄膜材料,涉及硼钨钴杂多配合物和结晶紫杂化薄膜的制备及其光电转换性质的评价,属于太阳能电池光电转换材料领域。硼钨钴杂多配合物和结晶紫杂化薄膜由[BW11Co(H2O)O39]7‑阴离子和结晶紫阳离子通过静电自组装得到,所制备的3层薄膜作为工作电极在0.1mol/L Na2SO4溶液中,在100mW/cm2的白光照射下,零偏压以及外加偏压为‑0.3V(vs SCE)所产生的光电流密度分别达到8.22μA/cm2和14.93μA/cm2。所制备的薄膜在太阳能电池工作电极的开发方面有潜在的应用前景。
搜索关键词: 硼钨钴 杂多 配合 结晶 紫杂化 薄膜 光电 转换 性质
【主权项】:
1.一种杂多配合物和结晶紫杂化的有序薄膜材料,其特征在于:该薄膜材料由[BW11Co(H2O)O39]7‑阴离子和结晶紫阳离子组成,其用途在于该薄膜用于光电化学电池中的工作电极。
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