[发明专利]一种基于压控恒流电路的波纹抑制型负离子发生器电源在审
申请号: | 201710990465.X | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN107659199A | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 李小林 | 申请(专利权)人: | 成都翰兴科技有限公司 |
主分类号: | H02M9/04 | 分类号: | H02M9/04;H02M1/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于压控恒流电路的波纹抑制型负离子发生器电源,主要由变压器T,放电板DB,场效应管MOS,三极管VT1,三极管VT4,三极管VT5,三极管VT6,压控恒流电路,极性电容C4,二极管D3,以及稳压二极管D4等组成。本发明能对输入电压和电流的高瞬态进行抑制,使输入电压和电流保持平稳,从而提高了本发明输出电压的稳定性,有效的提高了负离子发生器的吸附强度的稳定性,使负离子发生器产生负离子的效果更好,从而很好的满足人们的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 压控恒 流电 波纹 抑制 负离子 发生器 电源 | ||
【主权项】:
一种基于压控恒流电路的波纹抑制型负离子发生器电源,其特征在于,主要由变压器T,放电板DB,场效应管MOS,三极管VT1,三极管VT2,三极管VT3,三极管VT4,三极管VT5,三极管VT6,串接在变压器T原边电感线圈的同名端与三集管VT3的集电极之间的压控恒流电路,负极与三极管VT1的基极相连接、正极与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C3,负极经电阻R3后与场效应管MOS的源极相连接、正极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C2,N极与极性电容C2的正极相连接、P极经电阻R1后与三极管VT1的发射极相连接的二极管D1,负极经电阻R2后与场效应管MOS的栅极相连接、正极与二极管D1的P极共同形成电路的输入端的极性电容C1,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端接地的可调电阻R5,P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与可调电阻R5的调节端相连接的二极管D2,正极与三极管VT2的发射极相连接、负极与二极管D2的N极相连接的极性电容C5,一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R6,正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C4,P极与三极管VT3的发射极相连接、N极与变压器T原边电感线圈的非同名端相连接的二极管D3,P极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、N极与经电阻R8后与三极管VT4的集电极相连接的稳压二极管D4,正极与三极管VT4的基极相连接、负极与三极管VT5的发射极相连接的极性电容C6,一端与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R7,正极经电阻R1后与三极管VT5的集电极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C8,P极与三极管VT4的发射极相连接、N极经电感L后与三极管VT6的基极相连接的二极管D5,正极经电阻R9后与三极管VT5的发射极相连接、负极与放电板DB的电源输入端相连接的极性电容C7,以及一端与极性电容C7的负极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接的可调电阻R10组成;所述三极管VT5的基极还与二极管D3的N极相连接;所述二极管D5的N极还与极性电容C7的正极相连接;所述三极管VT6的集电极接地;所述稳压二极管D4的N极接地;所述二极管D3的N极还与极性电容C5的负极相连接。
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