[发明专利]一种用于生长钼酸锶晶体的方法

摘要

本发明提供一种用于生长SrMoO₄晶体或者激活离子掺杂SrMoO₄晶体的方法，采用顶部籽晶助熔剂法制备，所用助熔剂为Na ₂MoO₄+B₂O₃或K₂MoO₄+B₂O₃的复合助熔剂。在复合助熔剂体系中，Na₂MoO₄或K₂MoO₄与B₂O₃的摩尔比为4:1，激活离子为Tm³⁺、Ho³⁺、Yb³⁺、Er³⁺或Pr³⁺。本发明所述的制备SrMoO₄晶体技术方法，可以将SrMoO₄晶体的生长温度降低，同时还可以有效降低熔体体系在生长过程中的挥发性，稳定晶体的生长环境。

主权项

1.一种用于生长SrMoO₄ 晶体的方法，其特征在于，采用顶部籽晶助熔剂法制备SrMoO₄ 晶体，所用助熔剂为Na₂MoO₄+B₂O₃或K₂MoO₄+B₂O₃的复合助熔剂；在上述两种复合助熔剂体系中，Na₂MoO₄或K₂MoO₄与B₂O₃的摩尔比为4:1；当用SrMoO₄‑Na₂MoO₄‑B₂O₃体系来生长SrMoO₄ 晶体时，溶质SrMoO₄的摩尔百分比为25%‑10%，晶体生长温度区间为990℃‑880℃，降温速率为0.5‑5℃/天，晶转速率为5‑60rpm；当用SrMoO₄‑K₂MoO₄‑B₂O₃体系来生长SrMoO₄ 晶体时，溶质SrMoO₄的摩尔百分比为25%‑10%，晶体生长温度区间为1050℃‑850℃，降温速率为0.5‑5℃/天，晶转速率为5‑60rpm。