[发明专利]一种复位延迟电路在审
| 申请号： | 201710992463.4 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107634744A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 马红玲;王岩琴;崔洪艺 | 申请（专利权）人： | 宁波德晶元科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22;H03K17/284 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙)33243 | 代理人： | 龙洋 |
| 地址： | 315104 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种复位延迟电路，涉及IC集成技术领域，所述复位电路包括充电电路，放电电路，复位信号产生电路；本发明通过使用NMOS管与PMOS管组合替代比较器，减小了电路面积，降低了成本，便于集成，并且电路工作电压范围更广，输出信号更稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复位 延迟 电路 | ||
【主权项】：
一种复位延迟电路，其特征在于，包括：充电电路，放电电路，复位信号产生电路；所述充电电路包括：第一PMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)；其中，所述第一PMOS管(M1)的栅极与第一信号输入端(Vbp)连接，源极与电源电压(VCC)连接，漏极与所述第二NMOS管(M2)的漏极连接；所述第二NMOS管(M2)的栅极与第一信号输入端(Vbp)连接，源极与电容(C)连接于节点(B)；所述放电电路包括：第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)；所述第三NMOS管(M3)的漏极连接到节点(B)，源极接地，栅极与第二信号输入端(Vbn)连接；所述第四NMOS管(M4)漏极连接到节点(B)，源极接地，栅极与第三信号输入端(Boot)连接；所述复位信号产生电路包括电容(C)，施密特触发器(ST)；其中，电容(C)一端与节点(B)连接，一端接地；施密特触发器(ST)的输入端与节点(B)连接，输出端(Vout)用于输出复位信号。
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