[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710994380.9 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109285834B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 林正平;施江林;施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一基板，该基板具有一存储器阵列区与一周边电路区；多个第一线图案位于该存储器阵列区中且沿着一第一方向延伸；多个第二线图案位于该存储器阵列区中的所述第一线图案上方；以及多个线性元件位于该周边电路区中。该多个第二线图案沿着一第二方向延伸，该第二方向不同于该第一方向。该多个线图案与该多个线性元件实质位于该基板中的相同阶层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一基板，具有一第一区与一第二区；多个第一线图案，位于该第一区中并且沿着一第一方向延伸；多个第二线图案，位于该第一区中的所述第一线图案上方，其中该多个第二线图案沿着一第二方向延伸，该第二方向不同于该第一方向；以及多个线性元件，位于该第二区中；其中该多个第二线图案与该多个线性元件实质位于该基板中的相同阶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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