[发明专利]一种氮化镓晶片光电化学机械抛光液及抛光方法有效
| 申请号： | 201710994767.4 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107652900B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 康仁科;董志刚;欧李苇;时康;朱祥龙;周平 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B1/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 毛薇;李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于紫外辅助化学机械抛光的抛光液及其方法，包括纳米磨粒和氧化剂；所述纳米磨粒的含量为0.05‑20wt.％，所述氧化剂的含量为0.1‑10wt.％。本发明提供的抛光液主要用于氮化镓晶片的紫外辅助化学机械抛光加工，使用该抛光液对氮化镓晶片进行抛光加工可以获得高的去除率和低的表面粗糙度，同时该抛光液成分简单，纳米二氧化硅或氧化铈磨粒浓度极低，抛光液的后处理方便，对环境污染小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶片 光电 化学 机械抛光 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓晶片光电化学机械抛光方法，其特征在于：采用抛光垫和抛光液进行晶片的抛光；所述抛光垫与晶片的接触面积小于晶片的面积；所述抛光液包括纳米磨粒、氧化剂和水；所述纳米磨粒的含量为抛光液的0.18‑2wt.％；所述氧化剂的含量为抛光液的0.1‑10wt.％；抛光过程中采用紫外光源辐照晶片未被抛光垫遮挡的部分，使晶片露出剩余表面直接接受紫外光源的在线辐照而被改性。
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