[发明专利]一种半导体器件和半导体器件的制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201710994881.7 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698183A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 齐伟华;张传宝;杜亚;王奇峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法、电子装置，所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的次顶部金属层和顶部金属层；位于所述次顶部金属层和顶部金属层之间的层间介质层，所述层间介质层中形成有导电通孔，用以电连接所述次顶部金属层和顶部金属层；位于所述顶部金属层之上的焊盘；以及覆盖所述焊盘的钝化层，所述钝化层具有露出部分所述焊盘的开口；其中，所述导电通孔形成在所述开口垂直下方以外的区域。根据本发明的半导体器件和半导体器件的制造方法，减少了半导体器件在键合过程中焊盘和顶部金属层剥落的风险，增加了焊盘结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 顶部金属层 焊盘 层间介质层 导电通孔 电子装置 钝化层 衬底 半导体 开口 制造 垂直下方 焊盘结构 键合过程 电连接 剥落 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的次顶部金属层和顶部金属层；位于所述次顶部金属层和顶部金属层之间的层间介质层，所述层间介质层中形成有导电通孔，用以电连接所述次顶部金属层和顶部金属层；位于所述顶部金属层之上的焊盘；以及覆盖所述焊盘的钝化层，所述钝化层具有露出部分所述焊盘的开口；其中，所述导电通孔形成在所述开口垂直下方以外的区域。
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