[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710995776.5 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698238A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;蒋晓钧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；形成横跨所述鳍片的伪栅极；形成覆盖所述鳍片和所述伪栅极的层间介电层；在所述层间介电层中形成暴露所述伪栅极的凹槽，所述凹槽覆盖栅极结构需要切断的区域；在所述凹槽中形成自组装嵌段共聚物，所述自组装嵌段共聚物包括内层共聚物和外层共聚物，所述内层共聚物的图案定义所述栅极结构需要切断的区域；去除所述内层共聚物；以所述外层共聚物为掩膜执行刻蚀，以在所述伪栅极中形成暴露所述鳍片的开口。本发明提供的半导体器件的制造方法，使用自组装嵌段共聚物作为掩膜对栅极进行切断，从而缩小了栅极切断工艺的对接方向间距，并简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 共聚物 伪栅极 鳍片 自组装嵌段共聚物 半导体器件 内层 层间介电层 栅极结构 衬底 掩膜 半导体 制造 对接方向 图案定义 工艺流程 暴露 覆盖 刻蚀 去除 横跨 开口 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；形成横跨所述鳍片的伪栅极；形成覆盖所述鳍片和所述伪栅极的层间介电层；在所述层间介电层中形成暴露所述伪栅极的凹槽，所述凹槽覆盖栅极结构需要切断的区域；在所述凹槽中形成自组装嵌段共聚物，所述自组装嵌段共聚物包括内层共聚物和外层共聚物，所述内层共聚物的图案定义所述栅极结构需要切断的区域；去除所述内层共聚物；以所述外层共聚物为掩膜执行刻蚀，以在所述伪栅极中形成暴露所述鳍片的开口。
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