[发明专利]一种Ga2O3相结纳米棒及其制备方法

摘要

本发明属于纳米技术领域，具体涉及一种Ga₂O₃相结纳米棒及其制备方法，Ga₂O₃相结为α‑Ga₂O₃/β‑Ga₂O₃相结，α‑Ga₂O₃相构成内核，β‑Ga₂O₃相环绕在α‑Ga₂O₃相的外围；所述α‑Ga₂O₃/β‑Ga₂O₃相结为纳米棒状，α‑Ga₂O₃/β‑Ga₂O₃相结纳米棒为四棱柱，横截面为菱形。本发明的Ga₂O₃相结纳米棒采用水浴沉淀法产量丰富、制备过程简单、成本低、重复性好，可以实现工业上的批量生产，实现产业化。本发明的α‑Ga₂O₃/β‑Ga₂O₃相结纳米柱阵列分布均匀，纳米柱的长径比可控，在气敏传感器、光催化和电催化析氢中具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种Ga₂O₃相结纳米棒的制备方法，其特征在于，以硝酸鎵为前驱体，通过水浴沉淀获得GaOOH纳米棒；经400℃退火脱水处理得α‑Ga₂O₃纳米棒，并将α‑Ga₂O₃纳米棒在高于400℃的高温下煅烧一定时间，得α‑Ga₂O₃/β‑Ga₂O₃相结纳米棒；所述硝酸鎵的浓度为0.001mol/L‑0.01mol/L；水浴共沉淀的温度为95℃，水浴时间为5h，水浴共沉淀调节pH为9；所述高于400℃的高温下煅烧一定时间为在700‑800℃下煅烧5分钟‑60分钟；所述Ga₂O₃相结为α‑Ga₂O₃/β‑Ga₂O₃相结，α‑Ga₂O₃相构成内核，β‑Ga₂O₃相环绕在α‑Ga₂O₃相的外围；所述α‑Ga₂O₃/β‑Ga₂O₃相结为纳米棒状，α‑Ga₂O₃/β‑Ga₂O₃相结纳米棒为四棱柱，横截面为菱形；所述α‑Ga₂O₃/β‑Ga₂O₃相结纳米棒的长度在0.2～20μm范围之内，所述菱形的边长在30‑900nm范围之内。