[发明专利]一种DFB激光器部分光栅制作方法在审
| 申请号： | 201710997892.0 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107732655A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张恩;许海明 | 申请（专利权）人： | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/34;G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 程殿军,张瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种DFB激光器部分光栅制作方法，包括如下步骤在N型磷化铟衬底上，采用金属有机化学气相沉积方法依次生长N型InP缓冲层、多量子阱结构、P型InP层、InGaAsP光栅层及InP光栅层；在外延片表面均匀涂覆光刻胶，通过光刻版遮住部分光栅，在光刻机下进行曝光，后进行全息曝光及显影，形成光栅区与非光栅区；利用光刻胶作为保护层，采用反应离子刻蚀技术对光栅层中InP光栅层进行刻蚀；采用针对InGaAsP的选择性腐蚀液对InGaAsP光栅层进行腐蚀，室温静置腐蚀1‑2分钟。该方法利用光刻胶作为保护层，采用反应离子刻蚀技术和选择性湿法腐蚀形成深度一致的部分光栅，适合DFB激光器批量制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dfb 激光器 部分 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
一种DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：在N型磷化铟衬底(1)上，采用金属有机化学气相沉积方法依次生长N型InP缓冲层(2)、多量子阱结构(3)、P型InP层(4)、InGaAsP光栅层(5)及InP光栅层(6)；步骤2：在外延片表面涂覆光刻胶(7)，使用光刻版作为掩膜层遮住部分光栅，先在光刻机下进行曝光，然后进行全息曝光及显影，从而形成光栅区(8)与非光栅区(9)；步骤3：利用光刻胶(7)作为保护层，采用反应离子刻蚀技术对光栅层中InP层进行刻蚀，刻蚀深度大于所述InP光栅层(6)厚度，但不超过所述InGaAsP光栅层(5)总厚度；步骤4：采用针对InGaAsP的选择性腐蚀液对所述InGaAsP光栅层(5)进行进一步腐蚀，室温静置腐蚀，腐蚀完InGaAsP光栅层后即停止。
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