[发明专利]注入增强缓冲层结构和含该结构的SiC光触发晶闸管在审
| 申请号： | 201710998688.0 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107863384A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 蒲红斌;王曦;陈春兰 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 王奇 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种注入增强缓冲层结构，包括上缓冲区即第一外延层，该上缓冲区材料为n型SiC，厚度为0.1μm‑2.9μm，上下端表面积为1μm2‑2000cm2；紧邻上缓冲区的下方为下缓冲区即第二外延层，该下缓冲区的材料为n型SiC，厚度为0.1μm‑2.9μm，上下端表面积为1μm2‑2000cm2；上缓冲区与下缓冲区相连，其中上缓冲区的施主杂质掺杂浓度大于下缓冲区的施主掺杂浓度。本发明还公开了一种含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管。本发明的结构，不仅具有防止电场穿通的功能，还具有调节载流子注入的功能，具有更短的开通延迟时间。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 增强 缓冲 结构 sic 触发 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种注入增强缓冲层结构，其特征在于：包括上缓冲区即第一外延层(3)，该上缓冲区材料为n型SiC，厚度为0.1μm‑2.9μm，上下端表面积为1μm2‑2000cm2；紧邻上缓冲区的下方为下缓冲区即第二外延层(2)，该下缓冲区的材料为n型SiC，厚度为0.1μm‑2.9μm，上下端表面积为1μm2‑2000cm2；上缓冲区与下缓冲区相连，其中上缓冲区的施主杂质掺杂浓度大于下缓冲区的施主掺杂浓度。
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