[发明专利]一种通过碳掺杂提高常压烧结氮化硅陶瓷热导率的方法有效
| 申请号： | 201711001140.0 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109694253B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张景贤;段于森;李晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种通过碳掺杂提高常压烧结氮化硅陶瓷热导率的方法，包括：将氮化硅粉体、烧结助剂和碳源混合，得到混合粉体，所述碳源为酚醛树脂、壳聚糖、无水葡萄糖、麦芽糖、果糖和淀粉中的至少一种，所述烧结助剂是以TiO |
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| 搜索关键词： | 一种 通过 掺杂 提高 常压 烧结 氮化 陶瓷 热导率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过碳掺杂提高常压烧结氮化硅陶瓷热导率的方法，其特征在于，包括：将氮化硅粉体、烧结助剂和碳源混合，得到混合粉体，所述碳源为酚醛树脂、壳聚糖、无水葡萄糖、麦芽糖、果糖和淀粉中的至少一种，所述烧结助剂是以TiO2为主烧结助剂，以Y2O3、Sc2O3、Sm2O3、Lu2O3、Er2O3、MgO、Mg2Si、MgSiN2中的至少一种为辅烧结助剂的混合物、MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5的至少一种；将所得混合粉体经成型、排胶，得到陶瓷坯体；将所得陶瓷坯体置于烧结炉中在1600～1800℃下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。
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