[发明专利]一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201711001865.X | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109694254B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张景贤;段于森;李晓光 | 申请（专利权）人： | 浙江多面体新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 313023 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到混合粉体，所述烧结助剂为MgTiO |
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| 搜索关键词： | 一种 采用 单一 烧结 助剂 常压 制备 致密 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备致密氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到混合粉体，所述烧结助剂为MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5中的一种；将所得的混合粉体成型，得到陶瓷素坯；将所得的陶瓷素坯置于烧结炉中在1600～1800℃的温度条件下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。
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