[发明专利]一种去除晶圆上难挥发物质的方法有效
| 申请号： | 201711002093.1 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107680902B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 孟凡顺;易幻 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除晶圆上难挥发物质的方法，应用于深槽隔离制程工艺的钨回刻工艺中，在深槽隔离制程工艺中易生成难挥发的物质，且难挥发的物质附着在晶圆上；包括以下步骤：步骤S1、将晶圆放置于一反应腔体中；步骤S2、对晶圆进行加热，并于反应腔体中通入第一反应气体以及一第二反应气体；步骤S3、控制对晶圆的加热温度，以去除附着在晶圆上的金属杂质；步骤S4、维持通入的第二反应气体的流量，使第二反应气体与难挥发的物质反应形成挥发性物质。其技术方案的有益效果在于，克服了现有技术中由于存在的难挥发的物质以及金属杂质附着在晶圆造成晶圆良率较低的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 晶圆上难 挥发 物质 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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