[发明专利]透明OLED显示器及其制作方法

摘要

本发明提供一种透明OLED显示器及其制作方法。本发明的透明OLED显示器的制作方法将有源层与第一储存电容电极在同一制程中形成，使第一储存电容电极由透明金属氧化物半导体材料制备，并通过两道光刻制程来制作阳极和第二储存电容电极，使第二储存电容电极仅由透明导电氧化物材料制备，从而使所述第一储存电容电极与第二储存电容电极所在的储存电容区呈现为透明区域，提高透明OLED显示器的光透过率，提升透明OLED显示器的透明显示效果。进一步的，在制作阳极和第二储存电容电极的同时，形成位于外围区的接线端子，使接线端子仅由透明导电氧化物材料制备，防止其被外界水氧腐蚀，提升透明OLED显示器的使用寿命。

主权项

1.一种透明OLED显示器的制作方法，其特征在于，采用透明金属氧化物半导体材料制备第一储存电容电极(41)，采用透明导电氧化物材料制备第二储存电容电极(92)；具体包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖所述栅极(20)的栅极绝缘层(30)；步骤2、在所述栅极绝缘层(30)上形成对应于栅极(20)上方的有源层(40)以及与有源层(40)间隔设置的第一储存电容电极(41)；所述有源层(40)与第一储存电容电极(41)均由透明金属氧化物半导体材料制备；步骤3、在所述栅极绝缘层(30)上形成覆盖有源层(40)与第一储存电容电极(41)的蚀刻阻挡层(50)，并在蚀刻阻挡层(50)上形成对应于有源层(40)两端的第一通孔(51)与第二通孔(52)；步骤4、在所述蚀刻阻挡层(50)上形成源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)与漏极(62)分别经由第一通孔(51)与第二通孔(52)和有源层(40)的两端相接触；步骤5、在所述蚀刻阻挡层(50)上形成覆盖所述源极(61)与漏极(62)的钝化层(70)，并在钝化层(70)上形成对应于第一储存电容电极(41)上方的第三通孔(73)以及对应于漏极(62)上方的第一过孔(841)；在所述钝化层(70)上形成平坦层(80)，在平坦层(80)上形成对应于第一过孔(841)上方的第二过孔(842)，所述第一过孔(841)与第二过孔(842)共同构成第四通孔(84)，同时在平坦层(80)上位于第三通孔(73)的区域内形成第五通孔(85)；步骤6、在所述平坦层(80)上从下至上依次沉积第一透明导电氧化物层(911)与阳极金属层(912)，对所述第一透明导电氧化物层(911)与阳极金属层(912)进行图形化处理，得到阳极预定图案(901)；在所述阳极预定图案(901)、平坦层(80)、及蚀刻阻挡层(50)上沉积第二透明导电氧化物层(913)，对第二透明导电氧化物层(913)进行图形化处理，得到位于平坦层(80)上且对应于所述阳极预定图案(901)的阳极(91)以及位于所述第五通孔(85)底部的蚀刻阻挡层(50)上以及所述平坦层(80)上的第二储存电容电极(92)；所述阳极(91)包括在所述平坦层(80)上从下至上依次层叠设置的第一透明导电氧化物层(911)、阳极金属层(912)、及第二透明导电氧化物层(913)，所述第二储存电容电极(92)包括设于所述蚀刻阻挡层(50)与所述平坦层(80)上的第二透明导电氧化物层(913)；所述阳极(91)经由第四通孔(84)与漏极(62)相接触，从下至上设置的所述第一储存电容电极(41)、蚀刻阻挡层(50)、所述第二储存电容电极(92)共同构成储存电容；步骤7、在所述阳极(91)、第二储存电容电极(92)、及平坦层(80)上形成像素定义层(94)，在所述像素定义层(94)上形成对应于所述阳极(91)上方的开口(941)；在所述开口(941)内的阳极(91)上形成OLED发光层(95)，在所述OLED发光层(95)与像素定义层(94)上形成覆盖所述OLED发光层(95)的阴极(96)。