[发明专利]一种横向元胞结构的功率器件终端结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201711003546.2 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN108054206A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;金锐;潘艳;赵岩;温家良;徐向前;刘双宇;周哲;朱涛;刘江;徐哲;赵哿;王耀华 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/739;H01L29/749;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向元胞结构的功率器件终端结构及其制作方法，以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为例，该结构包括衬底、背面掺杂区、正面掺杂区、隔离绝缘层、发射极、集电极、栅电极结构。本发明提供的一种横向元胞代替终端的垂直型功率芯片结构设计及其制作方法，将垂直型功率半导体器件原有的终端结构设计为横向器件结构，可以有效利用终端面积形成额外的通流区域，增加芯片的通流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 结构 功率 器件 终端 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向元胞结构的功率器件终端结构，其特征在于，所述结构包括：衬底(101)和在所述衬底(101)之上设置有正面掺杂区(103、104)、隔离绝缘层(107)、栅电极(105)、发射极(106)和截止环场板(109)，所述衬底(101)之下设有集电极(108)；其中，所述栅电极(105)与所述衬底(101)电隔离；所述发射极(106)与所述正面掺杂区(103、104)欧姆接触；所述集电极(108)与所述背面掺杂区(102)欧姆接触；所述截止环场板(109)与所述正面掺杂区(103)欧姆接触；所述衬底(101)的中心区域设有垂直元胞结构(110)；所述衬底(101)的边缘区域设有横向元胞结构(111)。
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