[发明专利]一种用于宽禁带半导体功率器件的测试方法在审
| 申请号： | 201711004816.1 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107861042A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽禁带半导体功率器件测试方法，该测试方法包括以下步骤开通过程性能测试；关断过程性能测试；导通过程性能测试；判断开通过程宽禁带半导体功率器件的损耗和关断过程宽禁带半导体功率器件的损耗的大小，当开通损耗大于关断损耗时，该器件适合用于软开通，当开通损耗小于于关断损耗时，该器件适合用于软关断。本发明可以寄生参数的影响，测量结果更准确，同时也保留了电学法自身测试设备常见、测试速度快的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 宽禁带 半导体 功率 器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种宽禁带半导体功率器件测试方法，该测试方法包括以下步骤：S1：开通过程性能测试；S2：关断过程性能测试；S3：导通过程性能测试；S4：判断开通过程宽禁带半导体功率器件的损耗和关断过程宽禁带半导体功率器件的损耗的大小，当开通损耗大于关断损耗时，该器件适合用于软开通，当开通损耗小于于关断损耗时，该器件适合用于软关断。
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