[发明专利]一种正装结构的LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201711006284.5 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107731979A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 陈明辉;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/20;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种正装结构的LED芯片及其制作方法，所述症状结构的LED芯片包括衬底，所述衬底上表面设置有外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述P型GaN上设置有ITO导电层，在ITO导电层上设置有导电金属作为P电极；所述外延层通过刻蚀P型GaN层到达N型GaN层形成低台阶，所述低台阶上保留有一凸起的GaN小岛，GaN小岛上设置有N电极。本发明通过保留低台阶上的一个凸起的GaN小岛，在不增加电极耗料的情况下，避免了N电极打线接触高台阶PN结导致漏电的问题；同时小岛高度跟台阶一样高，再在此基础上做电极，使得P电极和N电极可以采用同一技术制备，提高了焊线效率和良率，芯片可靠性大幅度提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种正装结构的LED芯片，其特征在于：包括衬底，所述衬底上表面设置有外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述P型GaN上设置有ITO导电层，在ITO导电层上设置有导电金属作为P电极；所述外延层通过刻蚀P型GaN层到达N型GaN层形成低台阶，所述低台阶上保留有一凸起的GaN小岛，GaN小岛上设置有N电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江门市奥伦德光电有限公司，未经江门市奥伦德光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711006284.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种固体介质插入式微弧直流开断断路器及其开断方法
- 下一篇：开关装置
