[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711006470.9 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107910365A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张俊;董波;戴超;曹琨;邢志民 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，包括栅极、半导体层、源极和漏极、以及，沟道区，位于源极和漏极之间、绝缘层，位于所述源极和漏极上方；其中，所述源极和漏极为多层结构，至少包括位于底部的下钛层、位于顶部的上钛层、以及位于所述下钛层与上钛层之间的铜层，所述下钛层与所述半导体层接触，所述铜层与绝缘层和半导体层均不接触。本发明的源极和漏极采用钛‑铜‑钛的金属结构，先沉积底层钛和铜，然后对铜层进行图案化，并进行适当过刻，保证顶层钛覆盖中间铜层，从而保护铜不被氯气的腐蚀。此外，形成源极和漏极时，不需额外开一道光罩，优化了生产工艺，节约了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极(2)；半导体层(4)；源极和漏极(5)；以及，沟道区(7)，位于所述源极和漏极(5)之间；绝缘层(6)，位于所述源极和漏极(5)上方；其中，所述源极和漏极(5)为多层结构，所述源极和漏极(5)均至少包括位于底部的下钛层(51)、位于顶部的上钛层(53)、以及位于所述下钛层(51)与上钛层(53)之间的铜层(52)，所述下钛层(51)与所述半导体层(4)接触，所述铜层(52)与所述半导体层(4)和绝缘层(6)均不接触。
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