[发明专利]一种QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711007092.6 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109713141B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED器件及其制备方法，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层和所述阴极之间包括薄膜；所述薄膜由N型半导体和纳米金属颗粒组成；沿所述薄膜的厚度方向，所述N型半导体的质量浓度由高到低。所述具有渐变结构的薄膜应用于QLED器件中，可以调节发光峰，增强QLED器件的发光，实现更高效的QLED器件发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，所述量子点发光层和所述阴极之间包括薄膜；所述薄膜由N型半导体和纳米金属颗粒组成；沿所述薄膜的厚度方向，所述N型半导体的质量浓度由高到低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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